SSD メーカーは TBW (書き込みテラバイト数) を宣伝しています。なぜ「読み取りテラバイト数」が仕様に含まれていないのでしょうか? SSD からの読み取りは、その寿命全体にわたって実質的に無関係だからでしょうか?
追加した: もう少し詳しく説明すると、バックアップしたい 2TB ドライブがあるとします (NAS など)。毎日バックアップすると、1 年あたり約 700TB の読み取りになります。また、TBR が現在宣伝されている TBW (つまり約 1200) とほぼ同等であれば、バックアップを毎日ではなく 1 日おきに実行して、予想寿命を 2 年から 4 年に延ばすことを検討できます。これは理にかなっていますか?
答え1
電界を変えると、SSD は摩耗します。書き込みを行うと電界が変化します。読み取り自体は SSD の状態を取得するだけなので、理論的にはそれだけを行うと摩耗はほとんどありません。
チップは電流が流れるだけで壊れますが、これは読み取り部分と相関します。
ほとんどすべての人が SSD に書き込みをし、障害を引き起こすため、書き込みによる障害はいずれにしても発生する可能性が高いため、読み取りは測定されません。SSD にデータを一度書き込んで、それをバックアップとして保存することに決めた場合でも、寿命があることに注意してください。寿命がどのくらいかはドライブによって異なりますが、ドライブの電源がオンになっている時間の長さに応じて、5 年から 10 年と見積もっています。
ドライブを何年も電源に接続しないのも良くないことに留意してください。
答え2
原則として、読み取りによって SSD が消耗することはなく、書き込みによってのみ消耗します。
しかし、ディスクに書き込むのはあなただけではありません。ディスクのファームウェアは常に書き込みを避けるために忙しく働いています。 ウェアレベリングこれは、部分的に空のブロックを完全なブロックに統合することによって行われます。
つまり、オペレーティング システムがディスクをアイドル状態として表示している場合でも、オペレーティング システムには見えない読み取りおよび書き込みのメンテナンス操作が行われている可能性が高いということです。
答え3
TBW は適切な仕様であり、利用可能な場合は使用する必要があります。
高品質の SSD ドライブは、良好なセルを使用するのに十分な容量があり、通常は、そのドライブが搭載されているマシンよりも長持ちします。
読み取りでは過度の摩耗は発生せず、良質のドライブでは過度の摩耗なしに多くの書き込みを行うことができます。
私は 1 TB の Samsung SSD を搭載した 5 年前の ThinkPad X1 を持っています。その寿命は 600 TBW と推定されています。現時点では 60 TBW 程度なので、同様の 1 TB SSD と Windows 11 を搭載した新しい X1 にマシンを交換しました。
良質のドライブには TBW 仕様が含まれているはずで、私の Samsung ドライブにはそれが含まれています。Lenovo 診断では現在使用されている TBW が報告されるので、自分のマシンで対応するものを探してください。
SSD ドライブは長持ちし、今では良質な消費者向けハード ドライブよりも優れています。
答え4
引用超越する:
あ読み取り障害簡単に言えば、この問題は、同じブロック内のページに対して大量の読み取りタスクが実行された後に発生し、読み取り対象のセルの近くのセルのデジタル値が変化し、データ エラーが発生します。
読み取り障害はどのようにして発生しますか?
すべての NAND フラッシュ メモリ セルには、ワード ラインに接続された制御ゲートと、同じビット ライン上の隣接するセルに接続されたソースとドレインを備えたフローティング ゲート トランジスタがあります。フローティング ゲート トランジスタは、制御ゲートの下にあります。フローティング ゲートに蓄積された電子の量によって、トランジスタのしきい値電圧が決まります。
特定のフローティング ゲートに電子がトラップされているかどうかを調べるには、メモリ デバイスはワード全体を読み取る必要があります。選択された行 (薄緑色で表示) のセルを読み取るには、同じブロック内の隣接する選択されていないワード ライン (濃い緑色で表示) に高い電圧を印加する必要があります。その間に、デバイスがデジタル値 (0 または 1 のどちらが格納されているか) を判定するために、ビット ラインごとに 1 つの選択されたセルが読み取られます。隣接するトランジスタ ゲートに印加された高電圧によってフローティング ゲートに電子が引き寄せられ、読み取りごとにセルのしきい値電圧がわずかに上昇し、その過程でセルが「妨害」されます。時間が経つにつれて、「未プログラム」状態 (つまり 1 が格納されている状態) のセルのしきい値電圧が増加して蓄積され、最終的に「プログラム」状態 (つまり 0 が格納されている状態) に移行します。これは読み取り妨害現象として知られています。状態の変化は不可逆的なプロセスであり、一度変更されると、ブロックが消去されない限り、ビット値は元に戻りません。
トランセンドのソリューション
過剰な読み取りを最小限に抑えることで、読み取り障害を軽減できます。Transcend は、この問題に対処するために 3 つの異なるソリューションを提供しています。
- ウェア レベリング アルゴリズム: この機能は、NAND フラッシュ メモリ セルの使用を使用可能なメモリ アレイ全体に分散し、ブロック内でデータが均等に書き込まれるようにします。
- 早期移動: この機能は、潜在的なデータ エラーを検出して修正します。ブロック内のエラー ビットが上限に達した場合、データは別のブロックに移動され、元のブロックは消去されます。(注: 一部の製品にはこの機能がありません。)
- 読み取り再試行: この機能は、フラッシュ メモリの読み取り基準電圧を調整し、読み取りエラーを排除するために設計されています。
デルキンこの問題にも対処しています:
NANDフラッシュメモリが読み取り操作のみに使用される場合、書き込みが行われないため、多くの設計者は製品寿命を心配する必要はないと考えています。実際には、読み取り操作でもフラッシュメモリは最終的に消耗します。読み取り操作を繰り返すと、意図しない再プログラミングやクロスカップリングノイズによる損傷が発生する可能性があるためです。これらの問題が発生すると、読む邪魔エラー幸いなことに、産業グレードの NAND フラッシュ メモリには通常、これらのリスクを軽減するための読み取りレベリングと ECC が統合されています。
一方、通常の SSD の仕様では読み取り負荷制限は見当たらない為、書き込み負荷制限とは異なり、大きな問題にはならないと思われます (メーカー側が対策を講じているため)。