Intel RS3UC080(LSI3008) + Samsung Evo 840 = ¿rendimiento de escritura lento?

Question

Obtuve un rendimiento de escritura bastante lento en comparación con mi placa Z87. ¿Alguien sabe si se pueden esperar estos resultados del Intel RS3UC080 o cuál podría ser el problema si lo hubiera?

A continuación se muestra el hardware/software que utilicé para realizar las pruebas. Las últimas actualizaciones de firmware para RS3UC080 y SSD ya están instaladas.

Controlador: Intel RS3UC080(LSI3008)
Placa base: Asus Hero VI(Chipset Z87)
CPU: 4770K a 4,5 GHz
Ram: 16 GB a 2,4 GHz
Plano posterior: HP DL360 G6
SSD: 4x Samsung Evo 840 de 120 GB en Raid-0

Herramienta de evaluación comparativa: AS SSD Benchmark 1.8.5611.39791 y 1.7.4739.38088
Sistema operativo: Windows XP 8.1 x64

Ejecuté las pruebas usando el mismo hardware, una vez con Intel RS3UC080 usando el backplane de un DL360 G6 y otra sin él conectando directamente las unidades a la placa base.

La matriz raid en Intel RS3UC080 se creó mediante la utilidad de configuración que aparece durante el arranque.

Me acabo de dar cuenta de que AS SSD estaba configurado en alemán cuando se tomó una captura de pantalla. A continuación se muestran las traducciones.

lesen = leer
schreiben = escribir
zugriffszeit = tiempo de acceso

Answer 1

No conozco este controlador, pero ¿ha intentado desactivar la memoria caché del controlador permitiendo que el sistema operativo acceda directamente al disco? Había en algún lugar un hilo similar con discos SSD y controlador LSI.

¿Puede proporcionar una captura de pantalla de las opciones de configuración del controlador?

Answer 2

El problema es el aumento exponencial de la tasa de error de bits brutos con flash TLC de 21 nm... ECC intenta ocultárselo al consumidor, pero el calor adicional producido por la CPU SSD hace que se sobrecaliente y se ralentice. (especialmente si lee - modifica - escribe).

http://techreport.com/review/27727/some-840-evos-still-vulnerable-to-read-speed-slowdowns

Evite las unidades TLC de menos de 25 nm si puede (como una plaga). Utilice samsung 850 pro o similar con MLC o SLC 3D NAND. Preferiblemente fabricado con un nodo de proceso de más de 35 nm. (Cuanto mayor sea el área cargada, más electrones puede contener y mayor será el tiempo de retención).

Asegúrese de que el controlador raid admita TRIM.

Establezca el tamaño de la franja en el tamaño del bloque de borrado rápido.

Utilice un clúster de 64 K en NTFS.

Asegúrese de que el noatime esté configurado y realice todas las optimizaciones recomendadas para los SSD.