Digamos que estamos olhando para uma DRAM com parâmetros de temporização típicos (os de interesse estão listados abaixo) com latências de leitura e gravação de aproximadamente 20-50 nanossegundos. Como alterar os parâmetros de tempo para aumentar as latências de leitura e gravação da DRAM? Especificamente, digamos que desejamos latências de leitura e gravação de aproximadamente 1 microssegundo. Os parâmetros com os quais tenho que trabalhar são os seguintes (se outros forem importantes e não estiverem listados, mencione-os; qualquer um deles que não seja importante ou que não faça sentido pode ser ignorado):
* tCCD = CAS to CAS command delay (always = half of burst length)
* tRRD = Row active to row active delay
* tRCD = RAW to CAS delay
* tRAS = Row active time
* tRP = Row precharge time
* tRC = Row cycle time
* CL = CAS latency
* WL = Write latency
* tWTR = Write to read delay
A razão pela qual estou perguntando é que desejo fazer uma pequena simulação para investigar o efeito das variações das latências de acesso à memória no desempenho do programa para vários padrões de acesso à memória. Meu conhecimento sobre hardware de memória é terrivelmente limitado; dados os parâmetros acima, estou pensando que a latência de memória para um único acesso seria algo como tRAS + CL para selecionar uma linha/coluna, mais WL? Eu realmente peço desculpas se esses não são parâmetros de tempo comuns. Desde já, obrigado!
EDITAR:
Pensando bem, se eu tiver um conjunto de parâmetros de tempo p1, p2, ..., pN, com latência de leitura/gravação conhecida X, posso obter um novo conjunto de parâmetros p1', p2', ..., pN' para uma latência de leitura/gravação desejada Y > X tomando p1' = (Y/X)p1, p2' = (Y/X)p2, ..., pN' = (Y/X)pN ? Parece que deveria, já que se as latências de leitura/gravação forem alguma combinação linear de parâmetros de temporização DRAM subjacentes, eu deveria ser capaz de simplesmente dimensionar os parâmetros e obter uma escala equivalente nas quantidades derivadas... certo?