Intel RS3UC080 (LSI3008) + Samsung Evo 840 = desempenho de gravação lento?

Question

Estou obtendo um desempenho de escrita bastante lento em comparação com minha placa Z87. Alguém sabe se esses resultados são esperados do Intel RS3UC080 ou qual pode ser o problema, se houver?

Abaixo está o hardware/software que usei para realizar os testes. As atualizações de firmware mais recentes para RS3UC080 e SSDs já estão instaladas.

Controlador: Intel RS3UC080 (LSI3008)
Placa-mãe: Asus Hero VI (chipset Z87)
CPU: 4770K a 4,5 GHz
Ram: 16 GB a 2,4 GHz
Painel traseiro: HP DL360 G6
SSD: 4x Samsung Evo 840 120 GB em Raid-0

Ferramenta de benchmark: AS SSD Benchmark 1.8.5611.39791 e 1.7.4739.38088
SO: Windows XP 8.1 x64

Fiz os testes usando o mesmo hardware, uma vez com o Intel RS3UC080 usando o Backplane de um DL360 G6 e uma vez sem ele conectando diretamente os drives à placa-mãe.

A matriz raid no Intel RS3UC080 foi criada por meio do utilitário de configuração que aparece durante a inicialização.

Acabei de notar que o AS SSD estava configurado para alemão quando uma captura de tela foi tirada. Abaixo estão as traduções.

lesen = ler
schreiben = escrever
zugriffszeit = tempo de acesso

Answer 1

Não conheço esse controlador, mas você tentou desabilitar o cache do controlador, permitindo acesso direto do sistema operacional ao disco? Havia em algum lugar aqui um tópico semelhante com discos SSD e controlador LSI.

Você pode fornecer uma captura de tela das opções de configuração do controlador?

Answer 2

O aumento exponencial da taxa de erro de bits brutos com flash TLC de 21nm é o problema... O ECC tenta escondê-lo do consumidor, mas o calor extra produzido pela CPU SSD causa superaquecimento e lentidão. (especialmente se ler - modificar - gravar).

http://techreport.com/review/27727/some-840-evos-still-vulnerable-to-read-speed-slowdowns

Evite unidades TLC abaixo de 25 nm, se puder (como uma praga). Use Samsung 850 Pro ou similar com MLC ou SLC 3D NAND. De preferência feito com nó de processo de 35nm+. (Quanto maior a área carregada, mais elétrons ela pode reter e maior será o tempo de retenção).

Certifique-se de que o driver RAID seja compatível com TRIM.

Defina o tamanho da faixa para o tamanho do bloco de apagamento do flash.

Use cluster de 64K em NTFS.

Certifique-se de que o noatime esteja configurado e faça todas as otimizações recomendadas de SSDs.