☰

Как интерпретировать спецификацию памяти (ОЗУ)?

tag-icon • tag-icon memory specifications computer-architecture definition
Как интерпретировать спецификацию памяти (ОЗУ)?

При рассмотрении памяти есть несколько спецификаций, которые я не понимаю и надеялся получить разъяснения. Что означают эти термины и как они влияют на производительность системы? Не стесняйтесь предоставлять технические данные и ответы на эти вопросы, ноне относится к спецификациям, которые я перечисляю в качестве примераниже.

  • Скорость: DDR3 1600, DDR2 800
  • Время: 9-9-9-24 (что означает каждая из цифр?)
  • Напряжение: 1,5 В (я знаю, что такое напряжение, но как оно влияет на мою систему?)
  • Многоканальный комплект: двойной, четырехканальный

решение1

Скорость

Цифры указаны в МГц и представляют собой частоту тактового сигнала, на котором работает ОЗУ (x2 для ОЗУ DDR, поэтому DDR2-800 работает на частоте 400 МГц). DDR означает «Double Data Rate», что означает, что она передает данные как по восходящему, так и по нисходящему фронту сигнала (а не просто по сигналу «вкл/выкл»). Так, например, DDR дает вам эффект 800 МГц, хотя на самом деле все еще находится на частоте 400 МГц. DDR2 и DDR3 являются заменяющими версиями спецификации DDR. (т. е.: DDR3 — это «двойная скорость передачи данных типа три»).

Сроки

Тайминги памяти (или тайминги RAM) в совокупности относятся к набору из четырех числовых параметров, называемых CL, tRCD, tRP и tRAS, которые обычно представляются в виде серии из четырех чисел, разделенных дефисами, в соответствующем порядке (например, 5-5-5-15). Однако не является чем-то необычным, если tRAS опускается или добавляется пятое значение, скорость команды (изВикипедия).

CL (задержка CAS)

Задержка CAS — это задержка в тактах между отправкой команды READ и моментом появления первой порции данных на выходах.

LRCD

Задержка между адресом строки и адресом столбца - tRCD - это количество тактовых циклов, прошедших между выдачей активной команды и командой чтения/записи. За это время внутренний сигнал строки достаточно стабилизируется, чтобы датчик заряда мог его усилить.

тРП

Время предварительной зарядки ряда - tRP - это количество тактовых циклов, прошедших между выдачей команды предварительной зарядки и активной командой. В это время считывающие усилители заряжаются и активируется банк.

трас

Время активности строки (tRAS) — это количество тактовых циклов, прошедших между командой активности банка и выдачей команды предварительной зарядки.

Видетьздесь для получения дополнительной информациина этих и других элементах синхронизации оперативной памяти.

Напряжение

Указанное напряжение является минимальным/рекомендуемым напряжением, необходимым для питания модуля RAM. Если его недостаточно, модуль не сможет питаться, если слишком много, можно повредить различные чипы на модуле.

Многоканальные комплекты

Эти «комплекты» — это просто несколько отдельных, похожих (насколько это возможно) модулей RAM, упакованных вместе. Цель (в наши дни) заключается в том, чтобы использовать их в материнских платах с возможностью двух и трех (и т. д.) каналов RAM. IE: поскольку для двухканального режима вам нужно 2 планки, и это стало стандартом/обычным для новых систем некоторое время назад (до трехканального, четырехканального и т. д.), производители памяти начали продавать свои существующие «комплекты» как «многоканальные комплекты».

Раньше комплекты продавались в основном для того, чтобы обеспечить небольшую скидку при покупке нескольких модулей (например: два модуля по 1 ГБ в «комплекте на 2 ГБ» обходились дешевле, чем покупка двух отдельных модулей по 1 ГБ той же модели).

решение2

Скорость:

Первая часть — тип памяти. DDR2 — это Double Data Rate 2. Вторая часть — скорость в МГц, на которой работает память, в общем случае, чем быстрее, тем лучше (до определенного момента).

Сроки:

Числа — это количество циклов ожидания, которые должны произойти между различными операциями с памятью. Чем меньше, тем лучше (более подробно).

Напряжение:

Напряжение, при котором работает память. В большинстве случаев это просто для справки, но некоторые системы требуют определенного напряжения памяти. Например, новые чипы Intel core I требуют более низкого напряжения (1,5 В iirc), чем старые чипы Core 2.

Многоканальный:

Память продается либо отдельными модулями (планками), либо в наборах для материнских плат с несколькими каналами памяти. Большинство современных плат имеют двойной канал, а сокет Intel 1336 — тройной. Упаковка всего лишь гарантирует, что вы получите два совершенно одинаковых модуля памяти (одинаковая скорость, тайминги и размер), что требуется для многоканальной оперативной памяти.

Связанный контент