Допустим, мы рассматриваем DRAM с типичными параметрами синхронизации (те, которые представляют интерес, перечислены ниже) с задержками чтения и записи ~20-50 наносекунд. Как можно изменить параметры синхронизации, чтобы увеличить задержки чтения и записи DRAM? В частности, предположим, что нам нужны задержки чтения и записи ~1 микросекунда. Параметры, с которыми мне придется работать, следующие (если другие важны и не перечислены, пожалуйста, укажите их; любые из них, которые не важны или не имеют смысла, можно проигнорировать):
* tCCD = CAS to CAS command delay (always = half of burst length)
* tRRD = Row active to row active delay
* tRCD = RAW to CAS delay
* tRAS = Row active time
* tRP = Row precharge time
* tRC = Row cycle time
* CL = CAS latency
* WL = Write latency
* tWTR = Write to read delay
Причина, по которой я спрашиваю, заключается в том, что я хочу провести небольшую симуляцию, чтобы исследовать влияние различных задержек доступа к памяти на производительность программы для различных шаблонов доступа к памяти. Мои знания об аппаратном обеспечении памяти крайне ограничены; учитывая приведенные выше параметры, я думаю, что задержка памяти для одного доступа будет примерно равна tRAS + CL для выбора строки/столбца, плюс WL? Я действительно извиняюсь, если это не общие параметры синхронизации. Заранее спасибо!
РЕДАКТИРОВАТЬ:
Если подумать, если у меня есть набор параметров синхронизации p1, p2, ..., pN, с известной задержкой чтения/записи X, могу ли я получить новый набор параметров p1', p2', ..., pN' для желаемой задержки чтения/записи Y > X, взяв p1' = (Y/X)p1, p2' = (Y/X)p2, ..., pN' = (Y/X)pN ? Кажется, что я должен это сделать, поскольку если задержки чтения/записи являются некоторой линейной комбинацией базовых параметров синхронизации DRAM, я должен иметь возможность просто масштабировать параметры и получать эквивалентное масштабирование в производных величинах... верно?