在查看內存時，有一些規格我不明白，希望得到澄清。這些術語的含義是什麼？ 請隨意提供技術數據和答案，但是不特定於我作為範例列出的規格以下。
- 速度：DDR3 1600、DDR2 800
- 時間：9-9-9-24（每個數字代表什麼意思？）
- 電壓：1.5V（我知道電壓是什麼，但它對我的系統有何影響？）
- 多通道套件：雙通道、四通道
答案1
速度
這些數字以 MHz 為單位，代表 RAM 運行的時脈訊號頻率（DDR RAM 為 x2，因此 DDR2-800 運行在 400MHz）。 DDR 的意思是“雙倍資料速率”，這意味著它在訊號的上升沿和下降沿上傳輸資料（而不僅僅是訊號開啟和關閉）。例如，DDR 為您帶來 800MHz 的效果，但實際上仍然只有 400MHz。 DDR2 和 DDR3 是 DDR 規範的替代版本。 （即：DDR3 是「雙倍資料速率類型三」）。
定時
記憶體時序（或RAM 時序）統指一組稱為CL、tRCD、tRP 和tRAS 的四個數字參數，通常表示為一系列以破折號分隔的四個數字，依各自的順序（例如5-5-5 - 15）。然而，省略 tRAS 或添加第五個值（命令速率）的情況並不罕見（來自維基百科）。
CL（CAS 延遲）
CAS 延遲是指發送 READ 指令與第一個資料在輸出上可用的時刻之間的延遲（以時脈週期為單位）。
LRCD
行位址到列位址延遲 - tRCD 是發出有效指令和讀取/寫入指令之間所花費的時脈週期數。此時，內部行訊號足夠穩定，以便電荷感測器將其放大。
tRP
行預充電時間 - tRP 是發出預充電指令和啟動指令之間所花費的時鐘週期數。此時，感應放大器充電並且組被啟動。
RAS
行活動時間 - tRAS 是儲存體活動指令和發出預充電指令之間所花費的時鐘週期數。
看此處了解更多信息在這些和其他 RAM 時序元件上。
電壓
列出的電壓是為 RAM 模組供電所需的最小/建議電壓。不夠的話，就無法為模組供電，太多的話，可能會損壞模組上的各種晶片。
多通道套件
這些「套件」只是封裝在一起的多個單一、相似（盡可能相同）的 RAM 模組。目前的目的是讓它們用於具有雙通道和三通道（等）RAM 通道功能的主機板。 IE：由於您需要2 個內存條才能實現雙通道，並且不久前這已成為新系統的標準/常規（在三通道、四通道等之前），因此內存製造商開始將其現有的“套件”行銷為「多通道」套件'。
先前出售這些套件主要是為了在購買多個模組時提供一定的價格優惠（即：「2GB 套件」中的兩個 1GB 模組比購買相同型號的兩個單獨的 1GB 模組便宜）。
答案2
速度：
第一部分是記憶體的類型。 DDR2 是雙倍資料速率 2。
定時：
這些數字是不同記憶體操作之間必須發生的等待週期數。越低越好（更深入）。
電壓：
記憶體的工作電壓。在大多數情況下，這僅供參考，但有些系統需要一定的電壓記憶體。例如，新的 Intel core I 晶片需要比舊的 Core 2 晶片更低的電壓 (1.5v iirc)。
多通道：
記憶體以單一模組（棒）的形式出售，也可以以帶有多通道記憶體的主機板套件的形式出售。目前大多數主機板都有雙通道，Intel 插槽 1336 則有三個通道。打包所做的就是確保您獲得多通道 RAM 所需的兩個完全相同的記憶體模組（相同的速度、時序和大小）。