
當我們為我們的東西或伺服器選擇記憶體時,我們總是會注意記憶體大小、匯流排速度,但大多數人從不關心 RAM 時序;這個功能的意義是什麼?
答案1
這裡是對 RAM 時序的一個很好的解釋,它是 RAM 總線速度後面的四個數字。這些值控制與記憶體控制器如何與 RAM 通訊相關的各種時序。
CAS 延遲 (tCL) - 這是最重要的記憶體時序。 CAS 代表列位址選通脈衝。如果已經選擇了一行,它會告訴我們需要等待多少個時脈週期才能得到結果(在將列位址傳送到 RAM 控制器之後)。
行位址 (RAS) 到列位址 (CAS) 延遲 (tRCD) - 一旦我們向記憶體控制器發送行位址,我們就必須等待這麼多週期才能存取該行的列之一。因此,如果沒有選擇一行,這意味著我們必須等待 tRCD + tCL 週期才能從 RAM 中獲得結果。
行預充電時間 (tRP) - 如果我們已經選擇了一行,則必須等待此週期數才能選擇不同的行。這意味著需要 tRP + tRCD + tCL 週期才能存取不同行中的資料。
行活動時間 (tRAS) - 這是行必須處於活動狀態的最小週期數,以確保我們有足夠的時間來存取其中的資訊。這通常需要大於或等於前三個延遲的總和 (tRAS = tCL + tRCD + tRP)。
這些值越低越好。
您不能透過更改任何這些值(與修改總線速度或電壓不同)來損壞 RAM,如果 RAM 無法處理它,它就無法與 CPU 正確交互,並且您的系統將鎖定或崩潰。
標籤值儲存在 RAM 的串列存在偵測 (SPD) EEPROM 中,但某些主機板可以覆蓋它們。製造商已按照提供的值測試了 RAM,因此,如果您偏離製造商的規格,RAM 可能無法可靠工作(如果您確實使用這些值,建議進行長時間的 Memtest86 測試。)
答案2
RAM 時序基本上是延遲的衡量標準。它是 RAM 從處理器接收到命令到處理器可以預期穩定響應之間所需的週期數。
根據伺服器的使用情況,RAM 時序對效能的影響可能會有所不同。 RAM 時序不會影響 RAM 的總頻寬,此頻寬由匯流排速度決定,且不會影響容量。與 SSD 或 HDD 驅動器以及其他資料儲存方法相比,RAM 的延遲已經非常低,因此當用作熱資料儲存時,擁有大容量和頻寬比擔心時序要有利得多。伺服器也經常使用註冊/緩衝 DRAM,這有助於允許更大的容量,但代價是更多的延遲/更糟糕的時序。
記憶體時序可以顯示超頻潛力或小幅效能提升,但這主要是超頻愛好者感興趣的,而不是設計可靠、高容量伺服器的人。