Intel RS3UC080(LSI3008) + Samsung Evo 840 = 寫入效能慢？

Question

與我的 Z87 板相比，我的寫入效能相當緩慢。有誰知道這些結果是否符合 Intel RS3UC080 的預期，或者如果有的話可能是什麼問題？

以下是我用於進行測試的硬體/軟體。 RS3UC080 和 SSD 的最新韌體更新已安裝。

控制器：Intel RS3UC080(LSI3008)
主機板：Asus Hero VI（Z87 晶片組）
CPU：4770K @ 4,5 GHz
RAM：16GB @ 2,4GHz
背板：HP DL360 G6
SSD：4x Samsung Evo 840 120GBRaid-aid ）

基準測試工具：AS SSD Benchmark 1.8.5611.39791 和 1.7.4739.38088
作業系統：Windows XP 8.1 x64

我使用相同的硬體運行測試，一次使用 DL360 G6 的背板使用 Intel RS3UC080，一次不使用它，直接將驅動器連接到主機板。

Intel RS3UC080 上的 raid 陣列是透過啟動期間顯示的設定實用程式建立的。

我剛剛注意到，在拍攝一張螢幕截圖時，AS SSD 設定為德語。以下是翻譯。

lesen = 讀取
schreiben = 寫入
zugriffszeit = 存取時間

Answer 1

我不知道這個控制器，但是您是否嘗試禁用控制器快取以允許作業系統直接存取磁碟？這裡某個地方有 SSD 磁碟和 LSI 控制器的類似線程。

您能提供控制器配置選項的螢幕截圖嗎？

Answer 2

21nm TLC 快閃記憶體呈指數級增長的原始誤碼率就是問題所在…ECC 試圖向消費者隱藏它，但 SSD CPU 產生的額外熱量會導致其過熱和速度變慢。 （特別是如果它確實讀取-修改-寫入）。

http://techreport.com/review/27727/some-840-evos-still-vulnerable-to-read-speed-slowdowns

如果可以的話，請避免使用低於 25 奈米的 TLC 驅動器（就像瘟疫一樣）。使用 samsung 850 pro 或類似的 MLC 或 SLC 3D NAND。最好是用 35nm+ 製程節點製成。 （帶電面積越大，能容納的電子越多，保留時間越長）。

確保 raid 驅動程式支援 TRIM。

將條帶大小設定為快閃記憶體擦除區塊大小。

在 NTFS 上使用 64K 簇。

確保設定 noatime 並執行所有建議的 SSD 最佳化。