
我的筆記型電腦上有一個DDR3L Samsung DRAM
。根據其第 23 頁數據表,IDD6
或Self-Refresh
電流遠高於IDD2P0
,IDD2P1
和IDD3P
,這些Precharge/Active Power-Down
模式。當然,IDD5B
(即當前,不使用Burst Refresh
時負責刷新)應該是Self-Refresh
縮放的基於刷新周期和添加到後三個值。但是,即使在那之後,電源模式似乎也不是該設備Self-Refresh
中最深入的電源模式。DRAM
我錯過了什麼嗎?