Corsair 및 G.Skill DDR4 RAM 호환성

Corsair 및 G.Skill DDR4 RAM 호환성

내 구성:
프로세서:G4560
마더보드:MSI B250M PRO-VH

듀얼 채널에서 이 두 개의 RAM을 사용할 수 있습니까?

커세어 DDR4 2400 8GB

지스킬 DDR 2400 4GB

듀얼 채널 모드에서 사용하려면 둘 다 동일한 속도, 타이밍 및 전압이 필요하다는 것을 알고 있습니다. 사양에서 타이밍을 찾을 수 없으며 대기 시간이 다릅니다. 지연 시간이 다르면 문제가 발생합니까?

마더보드에 DIMM A1 및 DIMM B1 슬롯이 있습니다. 더 나은 성능을 위해서는 어떤 램을 어디에 넣어야 할까요??

감사해요

답변1

그만큼"지연 시간"사양에 표시되는 매개변수는 타이밍입니다(1-2-3-4와 같은 4개의 숫자인 경우).

다양한 타이밍~ 할 것이다문제가 발생하고 대기 시간은 RAM 타이밍의 한 매개변수입니다.
RAM 스틱을 두 개의 서로 다른 채널(하나는 채널 A에, 다른 하나는 채널 B)에 삽입합니다. 듀얼 채널에서는 함께 작동할 수 없기 때문입니다. 그러나 이는 실제로 성능에 차이를 만들지 않습니다. .

타이밍 설명: 타이밍은 일반적으로 ( ) 형식
으로 기록됩니다 . 해당 타이밍의 약어는 다음과 같습니다. a-b-c-dCL-tRCD-tRP-tRAS

CL: CAS 지연 시간. 명령이 메모리로 전송된 후 응답이 시작될 때까지 걸리는 시간입니다. 프로세서가 메모리에서 일부 데이터를 요청한 다음 이를 반환하는 데 걸리는 시간입니다.
tRCD: RAS에서 CAS로의 지연.
행렬에 데이터가 저장되어 있는 라인(RAS)과 열(CAS)이 활성화되는 데 걸리는 시간입니다 .
tRP: RAS 사전 충전. 한 데이터 라인에 대한 액세스를 비활성화하고 다른 데이터 라인에 대한 액세스를 시작하는 데 걸리는 시간입니다.
tRAS: 사전 충전 지연 활성. 메모리에 대한 다음 액세스가 시작될 수 있을 때까지 메모리가 기다려야 하는 시간입니다.

더 읽고 싶다면:
출처:하드웨어 비밀 - RAM 타이밍 이해

답변2

듀얼 채널을 사용하려면 동일한 크기의 메모리 스틱도 필요합니다.

8GB 및 4GB 스틱으로 얻을 수 있는 것은 단일 채널이거나 "플렉스 모드" 여기서 8GB 스틱 중 하위 4GB는 4GB 스틱과 듀얼 채널 모드로 작동합니다. 나머지 4GB는 단일 채널로 작동합니다.

작업 부하에 따라 이로 인해 무작위적이고 예측할 수 없는 속도 저하가 발생할 수 있습니다.

귀하의 프로세서가 이 메모리 모드를 지원하는지 여부에 대한 정보를 찾을 수 없습니다.

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